普通大學物理答案

❶ 大學物理的題目，求詳細解答

分子的平均能量E=i/2KT 其中i為分子自由度
附分子自由度
自由度是物體運動方程中可以寫成的獨立坐標數，單原子分子有3個自由度，雙原子，三原子不考慮振動相當於剛體，分別有5個（3平2轉）、6個自由度（3平3轉），考慮振動後，雙原子加1個，三原子加2個。
（1）單原子分子：如氦He、氖Ne、氬Ar等分子只有一個原子，可看成自由質點，所以有3個平動自由度 i = t = 3。
（2）剛性雙原子分子如氫 、氧 、氮 、一氧化碳CO等分子，兩個原子間聯線距離保持不變。就像兩個質點之間由一根質量不計的剛性細桿相連著（如同啞鈴），確定其質心O』的空間位置，需3個獨立坐標（x，y，z）；確定質點聯線的空間方位，需兩個獨立坐標（如α，β），而兩質點繞聯線的的轉動沒有意義。所以剛性雙原子分子既有3個平動自由度，又有2個轉動自由度，總共有5個自由度 i = t + r =3 + 2 = 5。
（3）剛性三原子或多原子分子：如 H2O 、氨 等，只要各原子不是直線排列的，就可以看成自由剛體，共有6個自由度，i = t + r = 3 + 3 = 6。

❷ 求這本大學物理教程的答案

篇一：物理學教程(第二版)上冊課後答案8

8－1 如圖，一定量的理想氣體經歷acb過程時吸熱700 J，則經歷acbda過程時，吸熱為 ( ) (A) – 700 J （B） 500 J （C）- 500 J （D） -1 200 J

分析與解理想氣體系統的內能是狀態量，因此對圖示循環過程acbda，內能增量ΔE=0，由熱力學第一定律Q＝ΔE＋W，得Qacbda=W= Wacb＋ Wbd＋Wda，其中bd過程為等體過程，不作功,即Wbd=0；da為等壓過程，由pV圖可知，Wda= - 1 200 J. 這里關鍵是要求出Wacb,而對acb過程，由圖可知a、b兩點溫度相同，即系統內能相同.由熱力學第一定律得Wacb=Qacb-ΔE=Qacb=700 J，由此可知Qacbda= Wacb＋Wbd＋Wda=- 500 J. 故選（C）

題 8-1 圖

8－2 如圖，一定量的理想氣體，由平衡態A 變到平衡態B，且它們的壓強相等，即pA＝pB,請問在狀態A和狀態B之間，氣體無論經過的是什麼過程，氣體必然( ) (A) 對外作正功 (B) 內能增加 (C) 從外界吸熱 (D) 向外界放熱

題 8-2 圖

分析與解 由p－V圖可知，pAVA＜pBVB，即知TA＜TB，則對一定量理想氣體必有EB＞EA .即氣體由狀態A 變化到狀態B,內能必增加.而作功、熱傳遞是過程量，將與具體過程有關.所以(A)、(C)、(D)不是必然結果，只有(B)正確.

8－3 兩個相同的剛性容器，一個盛有氫氣，一個盛氦氣(均視為剛性分子理想氣體).

❸ 大學普通物理題急求答案

推導過程可見教科書，關鍵是在電子參考虧燃系中，散射光子和入射光子頻率相等。而伍空沖實驗室坐標系和電子坐標系之間的變換滿足相對論多普勒公式。
這樣得到的最大 射線光子的能量約為h_bar* ω_max = h_bar* omega_L * r^2*(1+v/c)^2
≈ 4*r^2*h_bar* omega_L,
其中 r = E/ m0 C^2 是以電子靜止能量 （m0 C^2 ~ 0.5 MeV ) 為單位的電子的總能量E，omega_L為激光角頻率所以，激光電子康普頓散射最大散射光腔殲子的能量與電子總能量和激光光子能量（h_bar * omega_L ）的乘積成正比.

4GeV 和 HeNe光作用，
r = 4e9/0.5e6 = 8000
h_bar*omega_L = 1.96 eV
則散射的XUV光子能量為 4 × 8000^2 × 1.96 eV ~ 5 *10^8 eV, 即 0.5 GeV！！！！能量大的實在太變態了！

❹ 求大學物理試題及答案分享

系 (院)

專 業

級、班級

號

姓 名

衡陽師范院2007期
《物理》（二）期末考試試題B卷（答卷）

題 號 二 三 四 五 合 簽 名

復 查

評卷

、 單項選擇題：（每題3共30）
1. 處於真空電流元 P點位矢 則 P點產磁應強度 ( B )
(A) ； (B) ； (C) ； (D) .
2. 磁應強度 均勻磁場取邊 立形閉合面則通該閉合面磁通量： （ D ）
(A) ； (B) ； (C) ； (D) 0
3. 圖兩導線電流I1=4 AI2=1 A根據安培環路定律圖所示閉合曲線C = ( A )
(A) 3μ0； （B）0；
(C) －3μ0； （D）5μ0
4．半徑a直圓柱體載流I 電流I均勻布橫截面則圓柱體外（r>a）點P磁應強度 ( A )
(A) ； (B) ；
(C) ； (D)
5．某刻波形圖圖所示列說確 ( B )
(A) A點勢能能；
(B) B點勢能能
(C) A、C兩點勢能能；
(D) B點能勢能
6. 水平彈簧振拉離平衡位置5cm由靜止釋放作簡諧振並始計若選拉向 軸向並 表示振程則簡諧振初相位振幅 （ B ）
(A) ； (B) ；
(C) ； (D)
7. 物體作簡諧振, 振程x=Acos(ωt+π/4)t=T/4(T周期)刻,物體加速度 ( D )
(A) ; (B) ; (C) ; (D)
8. 簡諧振位移—間曲線關系圖所示該簡諧振振程
(A) x=4cos2πt（m）； ( C )
(B) x=4cos(πt－π)（m）；
(C) x=4cosπt（m）；
(D) x=4cos(2πt+π)（m）
9．餘弦波沿x軸負向傳播已知x=－1 m處振程y=Acos(ωt+ )若波速u則波程 ( C )
(A) ; (B) ;
(C) ; (D)
10．圖所示兩平面玻璃板OAOB構空氣劈尖平面單色光垂直入射劈尖A板與B板夾角θ增干涉圖 ( C )
(A) 干涉條紋間距增並向O向移；
(B) 干涉條紋間距減並向B向移；
(C) 干涉條紋間距減並向O向移；
(D) 干涉條紋間距增並向O向移.

評卷

二、填空題：（每題3共18）
1. 電流I直導線周圍磁應強度
2. 相干波相干條件 振向相同、頻率相同、相位差恆定
3. 諧振平衡位置運遠點所需間 T/4 (用周期表示)走該距離半所需間 T/12 (用周期表示)
4. 微觀說, 產電勢非靜電力 洛侖茲力
5．兩諧振程x1=0.03cosωtx2=0.04cos(ωt+π／2)(SI)則合振幅 0.05 m
6. 描述簡諧運三特徵量 振幅、角頻率、初相
評卷

三、簡答題：（每題6共12）
1. 彈簧振振幅增兩倍試析列物理量受影響：振周期、速度、加速度振能量
參考解答：彈簧振周期T=2π 【1】僅與系統內性質關與外界素關【1】所與振幅關【1】
vmax=ωAA增兩倍vmax增原兩倍【1】
amax=ω2AA增兩倍amax增原兩倍【1】
E= kA2A增兩倍E增原四倍【1】
2． 同光源發光兩部相干光哪幾種幾種別特點並舉例
參考解答：同光源發光兩部相干光兩種：波陣面振幅【2】波陣面指原光源發同波陣面兩部作兩光源取相干光楊氏雙縫干涉實驗等【2】；振幅指普通光源同點發光利用反射、折射等二獲相干光薄膜干涉等【2】
評卷

四、計算題：（第1題7其每題8共31）
1. 輕彈簧相連球沿x軸作振幅A簡諧運該振表達式用餘弦函數表示若t=0球運狀態別：
(1) x0=－A；(2) 平衡位置向x向運；(3) x=A／2處且向x負向運試確定相應初相
解：(1) =π【1】；(2) =－π／2【1】；(3) =π／3【1】
相量圖：【圖（1）1；圖（2）1；圖（3）2】

2．水平彈簧振振幅A=2.0×10-2m周期T=0.50st=0
(1) 物體x=1.0×10-2m處向負向運；
(2) 物體x=－1.0×10-2m處向向運
別寫兩種情況振表達式
解： 相量圖由題知 =4π【2】
（1）φ1= 其振表達式 x1=2.0×10-2cos(4πt+ ) (m) 【3】
（2）φ2= 或－ 其振表達式 x1=2.0×10-2cos(4πt+ ) (m) 【3】
解二： 解析（1）T=0x0=1.0×10-2m=A/2, v0<0. 【1】
由x0=Acosφ= 知 cosφ= 則φ=±
由 v0=－ωAsinφ0所φ= 【1】
其振表達式 x1=2.0×10-2cos(4πt+ ) (m) 【2】
（2）T=0x0=－1.0×10-2m=A/2, v0>0. 【1】
由x0=Acosφ=－ 知 cosφ=－ 則φ=± （或 ）
由 v0=－ωAsinφ>0 sinφ<0所φ= 或－ 【1】
其振表達式
x1=2.0×10-2cos(4πt+ ) (m)= 2.0×10-2cos(4πt－ ) (m) 【2】

3. 圖所示線圈均勻密繞截面形整木環(木環內外半徑別R1R2厚度h木料磁場布影響)共N匝求通入電流I環內外磁場布通管截面磁通量少?
解： 適選取安培環路根據安培環路定理兩種情況討論環外環內磁場作垂直於木環軸線圓軸線圓安培環路L
圓周環外 =0則由安培環路定理環外 B=0
圓周環內且半徑r(R1<r<R2)根據電流布稱性知與木環共軸圓周各點B相等向沿圓周切線向則由安培環路定理
【2】 B?2πr=μ0NI
由環內 B=μ0NI／(2πr) 【2】
求環管截面通磁通量先考慮環管內截面寬dr高h窄條面積通磁通量 dφ=Bhdr＝ dr【2】
通管全部截面磁通量 Φ= 【2】
4. 折射率n1=1.52鏡表面塗層n2=1.38MgF2增透膜膜適用於波λ=550nm光膜厚度應少?
解： 增透膜使反射光干涉相消增透射光光強n空<n2<n1光MgF2、表面反射均半波損失【2】所反射光干涉相消條件
2n2h=(2k+1) , k=0,1,2,… 則 h=(2k+1) 【3】
k=0【1】增透膜厚度
hmin= = =9.96×10-8(m)= 99.6nm【2】
解二： 於增透膜使反射光干涉相消使透射光干涉相故由透射光干涉加強求增透膜厚度光MgF2、表面經二反射（半波損失）【2】透射鏡與直接透MgF2透射光相遇兩透射光光程差2n2h+λ/2由干涉相條件
2n2h+ =kλ,k=1,2,3,… 則h=(k－ ) 【3】
k=1【1】增透膜厚度hmin= = =9.96×10-8(m)=99.6nm【2】
評卷

五、證明題：（共9）
圖所示直導線通電流I另矩形線圈共N 匝寬aL速度v向右平試證明：矩形線圈左邊距直導線距離d線圈應電勢
解： 由電勢公式 求解
：通電流I直導線磁場布B=μ0I/2πx向垂直線圈平面向於線圈、兩邊 向與 向垂直故線圈向右平移線圈兩邊產應電勢（、兩導線沒切割磁場線）左右兩邊產電勢左、右兩邊電勢? 向相同都平行紙面向視並聯所線圈總電勢
?＝?1－?2＝N[ － ]【3】
=N[ ]
=N[ － ]= = 【3】
? ＞0 則? 向與?1向相同即順針向【3】
二： 線圈左邊距直導線距離d線圈左邊磁應強度B1=μ0I/2πd向垂直紙面向線圈速度v運左邊導線電勢
?1＝N =N =NvB1 =Nv L.
向順針向【3】線圈右邊磁應強度B2=μ0I/2π(d+a)向垂直紙面向線圈運右邊導線電勢
?2 =N =N =NvB2 =Nv L.
向逆針【3】所線圈應電勢
?＝?1－?2= Nv L－Nv L=
? ＞0即? 向與?1向相同順針向【3】
三： 由? = 積路徑L取順針向
? =N[ ]
=N[ ]=N( )
=Nv L－Nv L= 【6】
? ＞0即? 向與閉合路徑L向相同順針向【3】
解二：由拉弟電磁應定律求解
直導線磁場非均勻磁場B=μ0I/2πr線圈平面內磁場向垂直線圈平面向故距直導線r處取L寬dr面元dS=Ldr取路繞行向順針向則通該面元磁通量
dΦ= =BdScos0°=
通匯流排圈平面磁通量（設線圈左邊距直導線距離x）
Φ= 【3】
線圈內應電勢由拉弟電磁應定律
? =－
線圈左邊距直導線距離x=d線圈內應電勢
? = 【3】
? ＞0所? 向與繞行向致即順針向【3】
應電勢向由楞定律判斷：線圈向右平由於磁場逐漸減弱通線圈磁通量減少所應電流所產磁場要阻礙原磁通減少即應電流磁場要與原磁場向相同所電勢向順針向
.

❺ 大學物理，求解答，第（2）題，哪邊的電勢高

動生電動勢的方向可用：右手定則，也可以用右手螺旋定則。
若用右手定則，把右手攤開，四指和大拇指垂直。讓磁場穿入手心，大拇指指向速度v的方向，四指指向等效電源的正極（即高電勢端），本題中Oa、Ob的線速度放行不同，因此得分開來判斷，ob段：磁場方向向上，因此右手的手心朝下，線速度方向垂直於紙面向里，因此大拇指方向指向垂直於紙面向里，此時四指指向ob的b點，所以有b點電勢高於o點電勢，同理可以判斷得到oa段中a點電勢高於o點電勢，但是由於長度ob>oa，因此ob段電動勢更大一些，所以b點電勢高於a點電勢。
若用右手螺旋定則，動生電動勢方向為速度v叉乘磁場B，四指從線速度v方向圓轉到B方向，大拇指指向高電勢端，同樣可以得到上面的結果。