大學物理第二版上冊馬文蔚答案
❶ 請問大學物理達人，物理學上冊（馬文尉版）1-14題下面這個式子從數學積分的角度看是如何得到的
原仿山悉式==
-- 1 d(Bv--A)
----積分---------- ==積備乎分唯橡 t
B Bv---A
ln|Bv---A| == ---Bt
積分
Bv == e^(--Bt)+A
v==A/B+ e^(--Bt)/A
❷ 誰有，大學物理思考題與習題解答第二版，熊天信pdf
一、大學物理學
大學物理（新版）（上冊）、吳百詩 科學出版社、2001
大學物理（新版）（下冊）、吳百詩 科學出版社、2001
大學物理學、余虹、科學出版社、2001
基礎物理學（上冊）、陸果、高等教育出版社、1997
基礎物理學（下冊）、陸果、高等教育出版社、1997
大學物理學、盧德馨、高等教育出版社、1998
物理學（上冊）（第四版）、馬文蔚 高等教育出版社、1999
物理學（中冊）（第四版）、馬文蔚 高等教育出版社、1999
物理學（下冊）（第四版）、馬文蔚 高等教育出版社、1999
大學物理（上冊）、陳宜生、李增智、天津大學出版社、1999
物理學（上冊）（第三版）、馬文蔚 高等教育出版社、1996
物理學（中冊）（第三版）、馬文蔚 高等教育出版社、1996
物理學（下冊）（第三版）、馬文蔚 高等教育出版社、1996
物理學、李乃伯、高等教育出版社、2001
物理學（成教工版、高職高專）（第2版）、宋士賢、郭曉楓、劉雲龍、西北工業大學出版社、2001
物理學簡明教程（第一冊）、曹茂盛等、哈爾濱工業大學出版社、1999
物理學簡明教程（第二冊）、曹茂盛等、哈爾濱工業大學出版社、1999
物理學簡明教程（第三冊）、曹茂盛等、哈爾濱工業大學出版社、1999
物理學簡明教程（第四冊）、曹茂盛等、哈爾濱工業大學出版社、1999
普通物理學輔導與答疑?力學與熱學、清華大學基礎物理教研組、北京出版社 、1996
普通物理學輔導與答疑?電磁學、清華大學基礎物理教研組、北京出版社、1996
普通物理學輔導與答疑?振動、波動、波動光學與量子物理、清華大學基礎物理教研組、北京出版社、1998
物理學（第三版）（上冊）、嚴導淦 高等教育出版社、1998
物理學（第三版）（下冊）、嚴導淦 高等教育出版社、1998
大學物理（下冊）、陳宜生、李增智、天津大學出版社、1999
物理學、張立升等、天津大學出版社、1996
簡明大學物理、張丹海、洪小達、科學出版社、1998
普通物理學1（第五版）、程守洙、高等教育出版社、1998
普通物理學2（第五版）、程守洙、高等教育出版社、1998
普通物理學3（第五版）、程守洙、高等教育出版社、1998
普通物理學?力學（第二版）、梁紹榮、高等教育出版社、2000
普通物理學?熱學（第二版）、梁紹榮、高等教育出版社、2000
普通物理學?光學（第二版）、梁紹榮、高等教育出版社、2000
普通物理學?近代物理學基礎（第二版）、梁紹榮、高等教育出版社、2000
大學物理（理論核心部分）守恆定律，熱現象，李椿，夏學江，高等教育出版社，2001
大學物理（理論核心部分）電磁場，李椿，夏學江，高等教育出版社，2001
大學物理（理論核心部分）波動，波和粒子，狹義相對論，熱現象，李椿，夏學江，高等教育出版社，2001
大學物理（當代物理前沿專題部分）蔡樞，吳銘磊，高等教育出版社，2001
二、理論物理學
新概念物理學??力學、趙凱華、羅蔚茵、高等教學出版社、1995
新概念物理學??熱學、趙凱華、羅蔚茵、高等教學出版社、1998
新概念物理學??量子物理、趙凱華、羅蔚茵、高等教學出版社、2002
大學物理學?力學（第2版）、張三慧、清華大學出版社、1999
力學、程稼夫、科學出版社、2000
熱學、張玉民、科學出版社、2000
電磁學、張玉民、戚伯雲、科學出版社、2000
原子物理學（三版）、楊福家、高等教育出版社、2000
量子力學（三版）卷I、曾謹言、科學出版社、2002
量子力學（三版）卷II、曾謹言、科學出版社、2002
三、習題集
大學基礎物理習題精解、金仲輝、科學出版社、2002
電磁學千題解、張之翔、科學出版社、2002
物理學難題集萃（增訂本）、舒幼生、胡望雨、陳秉乾、高等教育出版社、1999
物理學練習題與大作業詳解（成教工版、高職高專）（第2版）、郭曉楓、於明章、張明影 西北工業大學出版社、2002
物理學學習指導（成教工版、高職高專）、張松年、陳慶東、李宏昌、西北工業大學出版社、2002
大學物理學習題討論課指導（上冊）、沈慧君、王虎株、清華大學出版社、1993
大學物理學習題討論課指導（下冊）、沈慧君、王虎株、清華大學出版社、1993
大學物理學習指導、龐兆芳、天津大學出版社、1998
物理學綱要與自學指導、劉雲龍、同濟大學出版社、1996
大學物理學習指導（上冊）、楊振威等、北京工業大學出版社、1995
大學物理學習指導（下冊）、楊振威等、北京工業大學出版社、1995
大學物理學習題集、河北工業大學物理教研室、1999
大學物理補充教材和練習題（上冊）、河北工業大學物理教研室、1999
大學物理練習題（下冊）、河北工業大學物理教研室、1998
四、外文書
University Physics, Dexin Lu, CHEP, Springer,1999
Matrix Optics, Shaoming Wang, Daomu Zhao, CHEP, Springer,2000
五、實驗書籍
物理學實驗教學導引（成教工版、高職高專）、李壽嶺、宋青、西北工業大學出版社、2002
普通物理演示實驗、王秉超、高等教育出版社、1997
六、科普類
應用核物理、楊福家、湖南教育出版社、1999
晶態面面觀——漫談凝聚態物質之一、馮端、馮步雲、湖南教育出版社、1998
放眼晶態之外——漫談凝聚態物質之二、馮端、馮步雲、湖南教育出版社、1999
生活中的物理學、何定梁、上海遠東出版社、1999
趣味力學、騰靜清（日）、科學出版社、2001
趣味力學新編、黃鍾、范德順、中國石化出版社、1997
物理學史、郭弈玲、清華大學、2002
文明之源-物理學、吳翔等、上海科學技術出版社、2001
探秘物理思維、李文庫、北京科技出版社、2002
上帝與新物理學、保羅?戴維斯、湖南科學技術出版社、2002
物理學原理在工程技術中的應用（第二版），馬文蔚，高等教育出版社，2001
❸ 高等教育出版社《大學物理學》課後習題答案馬文蔚主編
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其他公共課程論壇標題：
的物理教程（Mawen偉）答回案
BR />（兩聯）
有很多的相關信答息如下：
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❹ 大學物理第二版上冊梁志強版課後答案
第一題：
(4)大學物理第二版上冊馬文蔚答案擴展閱讀
這部分內容主要考察的是質點的知識點：
有質量但不存在體積或形狀的點，是物理學的一個理想化模型。在物體的大小和形狀不起作用，或者所起的作用並不顯著而可以忽略不計時，我們近似地把該物體看作是一個只具有質量而其體積、形狀可以忽略不計的理想物體，用來代替物體的有質量的點稱為質點。
具有一定質量而不計大小尺寸的物體。物體本身實際上都有一定的大小尺寸，但是，若某物體的大小尺寸同它到其他物體的距離相比，或同其他物體的大小尺寸相比是很小的，則該物體便可近似地看作是一個質點。例如行星的大小尺寸比行星間的距離小很多，行星便可視為質點-因為不計大小尺寸，所以質點在外力作用下只考慮其線運動。
由於質點無大小可言，作用在質點上的許多外力可以合成為一個力，另一方面，研究質點的運動，可以不考慮它的自旋運動。
任何物體可分割為許多質點，物體的各種復雜運動可看成許多質點運動的組合。因此，研究一個質點的運動是掌握各種物體形形色色運動的入門。牛頓第二定律是適合於一個質點的運動規律的。有了這個定律，再配合牛頓第三定律，就構成了研究有限大小的物體的手段。所以「質點」是研究物體運動的最簡單、最基本的對象。
❺ 求這本大學物理教程的答案
篇一：物理學教程(第二版)上冊課後答案8
8－1 如圖，一定量的理想氣體經歷acb過程時吸熱700 J，則經歷acbda過程時，吸熱為 ( ) (A) – 700 J （B） 500 J （C）- 500 J （D） -1 200 J
分析與解理想氣體系統的內能是狀態量，因此對圖示循環過程acbda，內能增量ΔE=0，由熱力學第一定律Q＝ΔE＋W，得Qacbda=W= Wacb＋ Wbd＋Wda，其中bd過程為等體過程，不作功,即Wbd=0；da為等壓過程，由pV圖可知，Wda= - 1 200 J. 這里關鍵是要求出Wacb,而對acb過程，由圖可知a、b兩點溫度相同，即系統內能相同.由熱力學第一定律得Wacb=Qacb-ΔE=Qacb=700 J，由此可知Qacbda= Wacb＋Wbd＋Wda=- 500 J. 故選（C）
題 8-1 圖
8－2 如圖，一定量的理想氣體，由平衡態A 變到平衡態B，且它們的壓強相等，即pA＝pB,請問在狀態A和狀態B之間，氣體無論經過的是什麼過程，氣體必然( ) (A) 對外作正功 (B) 內能增加 (C) 從外界吸熱 (D) 向外界放熱
題 8-2 圖
分析與解 由p－V圖可知，pAVA＜pBVB，即知TA＜TB，則對一定量理想氣體必有EB＞EA .即氣體由狀態A 變化到狀態B,內能必增加.而作功、熱傳遞是過程量，將與具體過程有關.所以(A)、(C)、(D)不是必然結果，只有(B)正確.
8－3 兩個相同的剛性容器，一個盛有氫氣，一個盛氦氣(均視為剛性分子理想氣體).
❻ 誰有《大學物理》上冊的課後答案
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❼ 大學物理
本文由physics_lyu整理的馬文蔚的物理學簡明教程，為同學們復習所用，轉發需註明。
體積單位是立方米,符號是 , 但是一般會用升(L), 1 = L
壓強單位是帕斯卡,符號為Pa, 1Pa=.
熱力學溫度符號為T,單位為開爾文,單位符號為K.
攝氏溫度符號為t,單位為攝氏度,符號為
如果物體A和B分別與處於確定狀態的物體C處於熱平衡狀態,那麼A和B之間也就處於熱平衡.這就是 熱力學第零定律 .又叫熱平衡定律，它揭示出A、B、C三個處於熱平衡中的物體具有相同的宏觀性質，這個共同的宏觀性質就是 溫度 .所以它也是建立溫度概念的基本定律.
在氣體動理論中,分子能量中含有速度(包括角速度)二次方項的數目叫做分子的自由度.
單分子自由度為3,剛性雙原子分子自由度為5
依照玻耳茲曼統計可以得到:氣體處於平衡態時，分子任何一個自由度的平均能量都等,均為 kT/2 .這就是能量按自由度均分定理，或簡稱 能量均分定理 ,由能量均分定理，可以方便地求得自由度為 的分子的平均能量為 .
1 mol理想氣體的內能為
1 mol理想氣體的內能也可寫成
由於我們討論的是分子數目是摩爾數量級 ,因此我們經常用到的是, mol的理想氣體內能為
我們把系統與譽盯外界之間由於溫度差而傳遞的能量叫做 熱量 .
內能是只跟初始和最終溫度有關,跟過程無關,,因此不需要像功一樣偏導或者積分.
上式表明，系統從外界吸收的熱量，一部分使系統的內能增加，另一部分使系統對外界做功，這就是 熱力學第一定律 .
它的微分表達式為
積分可得
由於體積 保持不變,因此 ,氣體對外不做功,由熱力學第一定律的
設有 理想氣體在等體過程中所吸收的熱量為 ,氣體溫度由T升高到 ,則氣體的熱容為
則 ,所以 , 在第四節我們知道對於1mol的理想氣體,
所以
等壓過程中,氣體壓強保持不變,因此元功可以用 來求得,同時我們可以帶入熱力學第一定律
求積分可得
我們定義1mol理想氣體的熱容為吸收的熱量dQ和其升高的溫度dT的比值
將 代入得
對於1mol氣體而言,由 ,由於R是常數等壓條件下P是常數兩邊取微分可得 ,所以上式為
由於 ,所以
與 的比值 等於
等溫過程中溫度保持不變,即 ,由於 可襲賣知 ,由熱力學第一定律可知
設氣體由 變為 ,氣體做的功為
由氣體物態方程 ,上式為
由於氣體物態方程 ,上式也可以寫成
在氣體狀態發生變化時,與外界沒有能量傳遞的過程叫做絕熱過程.即
由熱力學第一定律得
則
絕熱過程符合方程
為 絕熱方程
熱機效率為
W為對外做的功,它等於吸收的熱量 減去放出的熱量
製冷機製冷系數為
為了找到熱機效率的理論極限,法國工程師提出了卡諾循環,如圖所示,卡諾循環由AB,CD兩個等溫過程,和BC,DA兩個絕熱過程組成.
卡諾熱機效率為
根據絕熱方程和理想氣體物態方程可得
則卡諾熱機效率為
不可能製造出這樣一-種循環工作的熱機，它只使單一熱源冷卻來做功，而不放出熱量給其他物體，或者說不使外界發生任何變化這個規律就是 熱力學第二定律的開爾文說法 .
熱量不可能從低溫物體自動傳到高溫物體而不引起外界的變拍虛逗化.這就是 熱力學第二定律的克勞修斯說法 .
兩個點電荷 和 ，由電荷 指向電荷 的矢量用 表示，那麼，電荷 受到電荷 的作用力 為
其中
點電荷系所激發的電場中某點處的電場強度等於各個點電荷單獨存在時對該點所激起的電場強度的矢量和.這就是 電場強度的疊加原理 ，其數學表達式為
對於帶電體 ,面帶電體 ,線帶電體
電場線定義:
我們把通過電場中某一個面的電場線數叫做通過這個面的 電場強度通量 ,用符號 表示.
如果曲面是閉合曲面,則公式中曲面積分換成閉合曲面積分,
一般來說，通過閉合曲面的電場線，有些是「穿進」的，有些是「穿出」的，這也就是說，通過曲面上各個面積元的電場強度通量 有正、有負，為此規定:曲面上某點的法線矢量的方向是垂直指向曲面外側的.依照這個規定，如圖所示，在曲面的A處，電場線從外穿進曲面里，θ>90°， 所以 為負;在B處，電場線從曲面里向外穿出，θ<90°，所以為正 ;而在C處，電場線與曲面相切，θ=90°，所以 為零.
電荷在閉合曲面里,電場線可以只有穿出,如果電荷都在閉合曲面外面,有進有出,通量為零.
對於點電荷系激發的電場
根據功的公式可知,電場力做功與路徑無關,只跟路徑的起點和終點的位置有關.
由於電場力做功只跟路徑的起點和終點位置有關,因此電場前度 沿閉合路徑的積分為零.這叫做 靜電場的環路定理 .
兩個能夠帶有等值異號電荷的導體以及它們之間的電介質所組成的系統，叫做電容器.導體稱為極板或電極.當兩極板A、B之，間的電勢差為U時，兩極板所帶的電荷分別為+Q和-Q.電容器極板上電荷Q與兩極板間的電勢差U的比值，定義為電容器的電容C，即
電容器並聯
電容器串聯
電能大小為
電流 I等於通過截面S的電荷隨時間的變化率.單位為安培,符號為A,
為了細致地描述導體內各點電流分布的情況，引人一個新的物理量一 電流密度 矢量 j ，電流密度的方向和大小規定如下:導體中任意一點電流密度 j 的方向為該點正電荷的運動方向; j 的大小等於在單位時間內，通過該點附近垂直於正電荷運動方向的單位面積的電荷.
為了表述不同電源轉化能量的能力，人們引入了電動勢這一物理量.我們定義單位正電荷繞閉合迴路一周時，非靜電力所做的功為電源的電動勢。如以E表示非靜電電場強度，W為非靜電力所做的功， 表示電源電動勢，那麼由上述電動勢的定義，有
磁感強度B的單位為特斯拉,符號為T
接近1T數量級的磁感強度會對人體產生壞的影響.醫用核磁共振磁感強度在0.3-3T之間.地球表面磁場在 T數量級.
畢奧薩伐爾定律的表達式為
則
通過任一閉合曲面的磁通量 必等於零,即
注意和電場的高斯定理區別,電場強度通量不一定為零,磁場通量必為零,這是因為磁場是無源場,磁場線有進必有出導致的.而電場線是有源場(源是電子),所以電場線可以只出不進.
磁通量 的單位為韋伯,符號為Wb
磁場對電流元 作用的力，在數值上等於電流元的大小、電流元所在處的磁感強度大小以及電流元 和磁感強度 之間的夾角φ的正弦之乘積，這個規律叫做安培定律.用矢量式表示,即為
上式表明，在恆定磁場中，磁感強度B沿閉合路徑的線積分，等於此閉合路
徑所包圍的電流與真空磁導率的乘積.
在真空的穩恆磁場中，磁感強度B沿任一閉合路徑的積分(即B的環流)的值，等於 乘以該閉合路徑所包圍的各電流的代數和，即
這就是真空中磁場的環路定理,也稱安培環路定理.
設在真空中某點的磁感強度為 ，放人磁介質後因磁介質被磁化而產生
的附加磁感強度為 ，則該點的磁感強度B應為 和 的矢量和，即
電磁感應定律 可表述為:當穿過閉合迴路所圍面積的磁通量發生變化時，不論這種變化是什麼原因引起的，迴路中都會建立起感應電動勢，且此感應電動勢正比於磁通量對時間變化率的負值，即
當穿過閉合導線迴路所包圍面積的磁通量發生變化時,在迴路中就會有感應流，此感應電流的方向總是使它自己的磁場穿過迴路面積的磁通量,去抵償引起感應電流的磁通量的改變.或者用另一種方式來表述:閉合的導線迴路中所出現的感應電流,總是使它自己所激發的磁場反抗任何引發電磁感應的原因(反抗相對運動、磁場變化或線圈變形等).這個規律叫做 楞次定律 .
洛倫茲力導致電子集聚導體兩端,產生電場力,電場力逐漸增大,直至電場力等於洛倫茲力,達到平衡
得到
因此產生電動勢
即 動生電動勢 .
變化的磁場產生感生電場,感生電場形成 感生電動勢 .
磁通量等於
其中 L 為比例系數,叫做自感,與回落的形狀,大小以及周圍介質的磁導率有關.
得到自感電動勢
M 為互感,與圈的形狀、大小、匝數、相對位置以及周圍的磁介質的磁導率有關.
對於自感為 L 的線圈,當電流為 I ,磁場能量為
任意磁場的能量密度為
光在均勻介質中沿直線傳播,而在遇到兩種均勻介質的分界面時,一般會同時產生 反射 和 折射 現象,人們把返回原介質中傳播的光稱為 反射光 ,把進人另一介質按另一波速沿另一方向傳播的光稱為 折射光 (Fig. 8.1).圖中, 分別是 入射角 、 反射角 和 折射角 .
實驗發現入射光、反射光和折射光在一平面,同時,入射光在兩種介質的分界面的法線一側,反射光和折射光在另一側.
光從一種均勻介質1入射到另一均勻介質2表面時,入射角等於反射角,即 這就是 光的反射定律 .
實驗還發現,入射角正弦與折射角正弦之比為一個與介質和波長有關的常數
即
這個常數 稱為 介質2相對於介質1的相對折射率 .
任一介質相對於真空的折射率,稱為該介質的絕對折射率,簡稱 折射率n ,等於光在真空中的速度 與在該介質中的速度 ,即 ,所以8.1式也可以寫成
8.2式又可以寫作
這就是 光的折射定律 .
根據光的折射定律, 如果 ,則 ,同時i不能大於 ,因此當 等於 時, ,如果 ,根據8.3式 將會 ,因此就不會有折射光,光全部被反射會 的介質,這種現象叫做 全反射 .
平面鏡得到一個大小不變的虛像
由 , ,我們可得
因此從不同位置看到的光源距離水面的高度不同.
主光軸是指球面對稱軸.
我們在這討論的都是近軸光線.
平行近軸光線反射經過焦點,折射也會經過焦點
經過焦點的入射光折射後平行於主光軸.
p為物距,p'為像距,f為焦距即 ,則
這就是 球面鏡的反射成像公式 .
這就是 球面鏡的折射成像公式 ,其中 分別為像方焦距和物方焦距.
橫向放大率 為
這是 薄透鏡成像公式 .
橫向放大率為
折射率n與幾何路程L的乘積叫做 光程 ,兩個光路的光程差用 表示
當光程差滿足
時,屏幕上為明紋中心,
當光程差滿足
時,屏幕上為暗紋中心,
這是光程差的干涉條件
雙縫的距離d,雙縫與屏幕之間的垂直距離為d'
對於次實驗在空氣中n=1,光程差
當d'遠大於x時, ,則
帶入明紋(暗紋)中心條件,得屏幕上位置為
是各級明紋中心
是各級暗紋中心
相鄰明紋(或者暗紋)之間的距離為
相位差與光程差之間的關系
理論和實驗表明,光從光疏介質入射到光密介質的反射光的相位與入射光相位差 ,帶入上式可得光程差 為 半個波長,因此稱為半波損失.
薄膜干涉的光程差為
當光垂直入射到薄膜是,即入射角 時,
劈尖厚度為d,折射率為n,則劈尖上下表面反射光的光程差為
帶入干涉條件可得相鄰明紋(暗紋)的劈尖厚度差
式中 為光在折射率為n的介質中的波長
光波波長為 ,在厚度為d處,兩相干波的光程差為
干涉條紋半徑為r
由圖可得
當 ,可以略去 ,並將牛頓環光程差的公式帶入得
由干涉條件可知
明環半徑為
暗環半徑為 k=0,1,2,..$
衍射最大光程差