硅晶圓本科畢業論文

Ⅰ 如何理解摩爾定律對電子商務或信息系統投資的影響

摩爾定律--互聯網--電子商務發展之依據

摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登·摩爾（Gordon
Moore）提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。

盡管這種趨勢已經持續了超過半個世紀，摩爾定律仍應該被認為是觀測或推測，而不是一個物理或自然法。預計定律將持續到至少2015年或2020年[1] 。然而，2010年國際半導體技術發展路線圖的更新增長已經放緩在2013年年底，之後的時間里晶體管數量密度預計只會每三年翻一番。[1]

1摩爾定律概述

1965年4月19日，《電子學》雜志（Electronics
Magazine）第114頁發表了摩爾（時任仙童半導體公司工程師）撰寫的文章〈讓集成電路填滿更多的組件〉，文中預言半導體晶元上集成的晶體管和電阻數量將每年增加一倍。

1975年，摩爾在IEEE國際電子組件大會上提交了一篇論文，根據當時的實際情況對摩爾定律進行了修正，把「每年增加一倍」改為「每兩年增加一倍」，而現在普遍流行的說法是「每18個月增加一倍」。但1997年9月，摩爾在接受一次采訪時聲明，他從來沒有說過「每18個月增加一倍」，而且SEMATECH路線圖跟隨24個月的周期。

大抵而言，若在相同面積的晶圓下生產同樣規格的IC，隨著製程技術的進步，每隔一年半，IC產出量就可增加一倍，換算為成本，即每隔一年半成本可降低五成，平均每年成本可降低三成多。就摩爾定律延伸，IC技術每隔一年半推進一個世代。

摩爾定律是簡單評估半導體技術進展的經驗法則，其重要的意義在於長期而言，IC製程技術是以一直線的方式向前推展，使得IC產品能持續降低成本，提升性能，增加功能。

1998年時，台積電董事長張忠謀曾表示，摩爾定律在過去30年相當有效，未來10到15年應依然適用。

但最新的一項研究發現，「摩爾定律」的時代將會退出，因為研究和實驗室的成本需求十分高昂，而有財力投資在創建和維護晶元工廠的企業很少。而且製程也越來越接近半導體的物理極限，將會難以再縮小下去。

由於高純硅的獨特性，集成度越高，晶體管的價格越便宜，這樣也就引出了摩爾定律的經濟學效益，在20世紀60年代初，一個晶體管要10美元左右，但隨著晶體管越來越小，直小到一根頭發絲上可以放1000個晶體管時，每個晶體管的價格只有千分之一美分。據有關統計，按運算10萬次乘法的價格算，IBM704計算機為85美分，IBM709降到17美分，而60年代中期IBM耗資50億研製的IBM360系統計算機已變為3.0美分。摩爾定律的定義歸納起來，主要有以下三種版本：

集成電路晶元上所集成的電路的數目，每隔18個月就翻一倍。

微處理器的性能每隔18個月提高一倍，或價格下降一半。

用一個美元所能買到的計算機性能，每隔18個月翻兩倍。

以上幾種說法中，以第一種說法最為普遍，第二、三兩種說法涉及到價格因素，其實質是一樣的。三種說法雖然各有千秋，但在一點上是共同的，即「翻倍」的周期都是18個月，至於翻倍的是集成電路晶元上所集成的「電路的數目」，是整個「計算機的性能」，還是「一個美元所能買到的性能」就見仁見智了。[2]

2發現背景編輯

早在1959年，美國著名半導體廠商仙童公司首先推出了平面型晶體管，緊接著於1961年又推出了平面型集成電路。這種平面型製造工藝是在研磨得很平的矽片上，採用一種所謂「光刻」技術來形成半導體電路的元器件，如二極體、三極體、電阻和電容等。

要「光刻」的精度不斷提高，元器件的密度也會相應提高，從而具有極大的發展潛力。因此平面工藝被認為是「整個半導體的工業鍵」，也是摩爾定律問世的技術基礎。

1965年時任仙童半導體公司研究開發實驗室主任的摩爾應邀為《電子學》雜志35周年專刊寫了一篇觀察評論報告，題目是：「讓集成電路填滿更多的元件」。在摩爾開始繪制數據時，發現了一個驚人的趨勢：每個新晶元大體上包含其前任兩倍的容量，每個晶元的產生都是在前一個晶元產生後的18-24個月內。

如果這個趨勢繼續的話，計算能力相對於時間周期將呈指數式的上升。摩爾的觀察資料，就是後來的摩爾定律，所闡述的趨勢一直延續至今，且仍不同尋常地准確。

人們還發現這不光適用於對存儲器晶元的描述，也精確地說明了處理機能力和磁碟驅動器存儲容量的發展。該定律成為許多工業對於性能預測的基礎。在26年的時間里，晶元上的晶體管數量增加了3200多倍，從1971年推出的第一款4004的2300個增加到奔騰II處理器的750萬個。

3發現人物編輯

戈登·摩爾（Gordon
Moore,1929-）：英特爾公司（Intel）的創始人之一。

1929年1月3日，戈登·摩爾出生在加州舊金山的佩斯卡迪諾。父親沒有上過多少學，17歲就開始養家，做一個

戈登.摩爾
小官員，母親只有中學畢業。高中畢業後他進入了著名的加州伯克利分校的化學專業，實現了自己的少年夢想。

1950年，摩爾獲得了學士學位，接著他繼續深造，於1954年獲得物理化學博士學位。

1965年，提出「摩爾定律」。

另一種說法

摩爾定律雖然以戈登·摩爾（Gordon
Moore）的名字命名，但最早提出摩爾定律相關內容的並非摩爾，而是加州理工學院的卡沃·米德（Carver Mead）教授。

米德是最早關注到摩爾定律所提出的晶體管之類的產量增加，就會引起其價格下降現象的。米德指出，如果給定價格的電腦處理能力每兩年提高一倍，那麼這一價位的電腦處理裝置同期就會降價一半。

4定律驗證編輯

廣義驗證

1975年，在一種新出現的電荷前荷器件存儲器晶元中，的確含有將近65000個元件，與1965年摩爾的預言一致。另據Intel公司公布的統計結果，單個晶元上的晶體管數目，從1971年4004處理器上的2300個，增長到1997
年PentiumII處理器上的7.5百萬個，26年內增加了3200倍。如果按「每兩年翻一番」的預測，26年中應包括13個翻番周期，每經過一個周期，晶元上集成的元件數應提高2n倍（0≤n≤12），因此到第13個周期即26年後元件數這與實際的增長倍數3200倍可以算是相當接近了。

要素驗證

摩爾定律

也有人從個人計算機（即PC）的三大要素微處理器晶元、半導體存儲器和系統軟體來考察摩爾定律的正確性。

微處理器方面，從1979年的8086和8088，到1982年的80286，1985年的80386，1989年的80486，1993年的Pentium，1996年的PentiumPro，1997年的PentiumII，功能越來越強，價格越來越低，每一次更新換代都是摩爾定律的直接結果。與此同時PC機的內存儲器容量由最早的480k擴大到8M，16M，與摩爾定律更為吻合。

系統軟體方面，早期的計算機由於存儲容量的限制，系統軟體的規模和功能受到很大限制，隨著內存容量按照摩爾定律的速度呈指數增長，系統軟體不再局限於狹小的空間，其所包含的程序代碼的行數也劇增：Basic的源代碼在1975年只有4，000行，20年後發展到大約50萬行。微軟的文字處理軟體Word，1982年的第一版含有27，000行代碼，20年後增加到大約200萬行。有人將其發展速度繪制一條曲線後發現，軟體的規模和復雜性的增長速度甚至超過了摩爾定律。系統軟體的發展反過來又提高了對處理器和存儲晶元的需求，從而刺激了集成電路的更快發展。

摩爾定律並非數學、物理定律，而是對發展趨勢的一種分析預測，因此，無論是它的文字表述還是定量計算，都應當容許一定的寬裕度。從這個意義上看，摩爾的預言是准確而難能可貴的，所以才會得到業界人士的公認，並產生巨大的反響。

5修正演化編輯

修正

1975年，摩爾在國際電信聯盟IEEE的學術年會上提交了一篇論文，根據當時的實際情況，對「密度每年一番」的增長率進行了重新審定和修正。按照摩爾本人1997年9月接受《科學的美國人》一名編輯采訪時的說法，他當年是把「每年翻一番」改為「每兩年翻一番」。實際上，後來更准確的時間是兩者的平均:18個月。

演化

摩爾第二定律：摩爾定律提出30年來，集成電路晶元的性能的確得到了大幅度的提高；但另一方面，Intel高
層人士開始注意到晶元生產廠的成本也在相應提高。1995年，Intel董事會主席羅伯特·諾伊斯預見到摩爾定律將受到經濟因素的制約。同年，摩爾在《經濟學家》雜志上撰文寫道：「現在令我感到最為擔心的是成本的增加，…這是另一條指數曲線」。他的這一說法被人稱為摩爾第二定律。

新摩爾定律：中國IT專業媒體上出現了「新摩爾定律」的提法，指的是中國Internet聯網主機數和上網用戶人數的遞增速度，大約每半年就翻一番。而且專家們預言，這一趨勢在未來若干年內仍將保持下去。

6意義介紹

「摩爾定律」歸納了信息技術進步的速度。在摩爾定律應用的40多年裡，計算機從神秘不可近的龐然大物變成多數人都不可或缺的工具，信息技術由實驗室進入無數個普通家庭，網際網路將全世界聯系起來，多媒體視聽設備豐富著每個人的生活。
由於高純硅的獨特性，集成度越高，晶體管的價格越便宜，這樣也就引出了摩爾定律的經濟學效益。在20世紀60年代初，一個晶體管要10美元左右，但隨著晶體管越來越小，直到小到一根頭發絲上可以放1000個晶體管時，每個晶體管的價格只有千分之一美分。據有關統計，按運算10萬次乘法的價格算，IBM704電腦為1美元，IBM709降到20美分，而60年代中期IBM耗資50億研製的IBM360系統電腦已變為3.5美分。
「摩爾定律」對整個世界意義深遠。在回顧40多年來半導體晶元業的進展並展望其未來時，信息技術專家們認為，在以後「摩爾定律」可能還會適用。但隨著晶體管電路逐漸接近性能極限，這一定律終將走到盡頭。40多年中，半導體晶元的集成化趨勢一如摩爾的預測，推動了整個信息技術產業的發展，進而給千家萬戶的生活帶來變化。

7發展前景

摩爾定律問世已40多年，人們不無驚奇地看到半導體晶元製造工藝水平以一種令人目眩的速度提高。Intel的
微處理器晶元Pentium4的主頻已高達2GHz，2011年推出了含有10億個晶體管、每秒可執行1千億條指令的晶元。這種發展速度是否會無止境地持續下去是成為人們所思考的問題。

從技術的角度看，隨著矽片上線路密度的增加，其復雜性和差錯率也將呈指數增長，同時也使全面而徹底的晶元測試幾乎成為不可能。一旦晶元上線條的寬度達到納米（10-9米）數量級時，相當於只有幾個分子的大小，這種情況下材料的物理、化學性能將發生質的變化，致使採用現行工藝的半導體器件不能正常工作，摩爾定律也就要走到盡頭。

從經濟的角度看，正如摩爾第二定律所述，20-30億美元建一座晶元廠，線條尺寸縮小到0.1微米時將猛增至100億美元，比一座核電站投資還大。由於花不起這筆錢，越來越多的公司退出了晶元行業。[1]

物理學家加來道雄（Michio
Kaku）是紐約城市大學一名理論物理學教授，2012年接受采訪時稱摩爾定律在叱吒晶元產業47年風雲之久後，正日漸走向崩潰。這將對計算機處理進程產生重大影響。在未來十年左右的時間內，摩爾定律就會崩潰，單靠標準的硅材料技術，計算能力無法維持快速的指數倍增長。
加來道雄表示導致摩爾定律失效的兩大主因是高溫和漏電。這也正是硅材料壽命終結的原因。加來紀雄表示這與科學家們最初預測摩爾定律沒落大相徑庭。科學家應該能繼續挖掘硅部件的潛力，從而在未來幾年時間里維持摩爾定律的生命力；但在3D晶元等技術也都耗盡潛力以後，那麼也就將達到極限。
各領域科學家以及產業分析師們都預測到了摩爾定律的失效。然而研究者們同時又提出，不斷進步的晶元結構和部件使得摩爾定律在今天依然有效。就連被稱作「建立在摩爾定律之上」的Intel公司宣布隨著採用納米導線等技術的新型晶體管逐漸取代傳統的半導體晶體管，已經進入「大叔」級別的「摩爾定律」，將不能繼續引領電子設備發展的節奏。

8突破研究編輯

2012年10月28日，美國IBM研究所科學家宣稱，最新研製的碳納米管晶元符合了「摩爾定律」周期，依據摩爾定律，計算機晶元每18個月集成度翻番，價格減半。傳統的晶體管是由硅製成，然而2011年來硅晶體管已接近了原子等級，達到了物理極限，由於這種物質的自然屬性，硅晶體管的運行速度和性能難有突破性發展。

IBM公司的研究人員在一個硅晶元上放置了1萬多個碳納米晶體管，碳納米晶體管的電子比硅質設備運行得更快。它們也是晶體管最理想的結構形式。這些優異的性能將成為替代硅晶體管的原因，同時結合新晶元設計架構，未來將使微型等級晶元實現計算機創新。

研究人員發現，電子被捕獲進一個介面處具有一層氧化物或者金屬的半導體後就很容易被抽進空氣中，藏匿於該介面處的電子會形成一層電荷，而且該電子層內部的帶電粒子之間的庫倫排斥力也會使電子很容易從硅中釋放出來。他們通過施加很少量的電壓，有效地從硅結構中提取出了電子，隨後再將電子置於空氣中，使它們能在納米尺度的通道內行進，而不會遇到任何的碰撞或者發生散射。[3]

9生物學應用編輯

2013年，科學家將摩爾定律應用到了地球生命復雜性的研究上，他們的結果顯示，有機生命的存在時間遠超
過地球本身。研究者將摩爾定律中的晶體管換成了核苷酸——生命遺傳物質的基礎——將電路換成了遺傳物質，進行數學計算。計算結果顯示，生命最早出現在100億年前，比地球45億年的預測年齡古老得多。研究者稱，在太陽系形成的時候，可能已經存在著類似細菌的生物體，或者一些存在於銀河系古老區域的簡單核苷酸，可能通過彗星、小行星或其他太空碎片來到地球。這一假說被稱為有生源說，又稱泛種論。有科學家認為，直到現在仍有生命以泛種論的方式進入地球。[

Ⅱ 誰有主流45納米製造工藝的詳細介紹

先聲明：在網上找的，供你參考，希望對你有所幫助。 前言： CPU的發展史也可以看作是製作工藝的發展史。如果想要提高CPU的性能，那麼更高的頻率、更先進的核心以及更優秀的緩存架構都是不可或缺的，而此時自然也需要以製作工藝作為保障。幾乎每一次製作工藝的改進都能為CPU發展帶來最強大的源動力，無論是Intel還是AMD，製作工藝都是發展藍圖中的重中之重，如今處理器的製造工藝已經走到了45納米的新舞台，它將為新一輪CPU高速增長開辟一條康莊大道。 很多用戶都對不同的CPU的製作工藝非常熟悉，然而如果問他們什麼是製作工藝，65納米、45納米代表的是什麼，有什麼不同，這些問題他們未必能夠准確地解答，下面我們就一起來詳細了解一下吧。 一、銅導互連的末代瘋狂：45納米製作工藝 幾乎每一次製作工藝的改進都會給CPU發展帶來巨大的源動力。以如今炙手可熱的Pentium4為例，從最初的0.18微米到隨後的65納米，短短四年中我們看到了驚人的巨變。如今，45納米製作工藝再一次突破了極限，這也被視為是銅導互連技術的最終暢想曲。 1．製作工藝的重要性 早期的微處理器都是使用0.5微米工藝製造出來的，隨著CPU頻率的增加，原有的工藝已無法滿足產品的要求，這樣便出現了0.35微米以及0.25微米工藝，不久以後，0.18微米、0.13微米以及90納米製造的處理器產品也相繼面世。另外一方面，早期晶元內部都是使用鋁作為導體，但是由於晶元速度的提高，晶元面積的縮小，鋁線已經接近其物理性能極限，所以晶元製造廠商必須找出更好的能夠代替鋁導線的新的技術，這便是我們常說的銅導技術。銅導線與鋁導線相比，有很大的優勢，具體表現在其導電性要優於鋁，而且電阻小，所以發熱量也要小於現在所使用的鋁，從而可以有效地提高晶元的穩定性。我們今天所要介紹的65納米技術也是向著這一方向發展。 Intel在IDF 2007上驕傲地展示45nm工藝 光刻蝕是目前CPU製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，其過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡，刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程，設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步。製作工藝對於光刻蝕的影響十分巨大，這也就是CPU製造商瘋狂追求製作工藝的最終原因。 2．何謂45納米製作工藝 我們通常所說的CPU納米製作工藝並非是加工生產線，實際上指的是一種工藝尺寸，代表在一塊硅晶圓片上集成所數以萬計的晶體管之間的連線寬度。按技術述語來說，也就是指晶元上最基本功能單元門電路和門電路間連線的寬度。以90納米製造工藝為例，此時門電路間的連線寬度為90納米。我們知道，1微米相當於1/60頭發絲大小，經過計算我們可以算出，0.045微米（45納米）相當於1/1333頭發絲大小。可別小看這1/1333頭發絲大小，這微小的連線寬度決定了CPU的實際性能，CPU生產廠商為此不遺餘力地減小晶體管間的連線寬度，以提高在單位面積上所集成的晶體管數量。採用45納米製造工藝之後，與65納米工藝相比，絕對不是簡單地令連線寬度減少了20納米，而是晶元製造工藝上的一個質的飛躍。 Intel展示45納米工藝的晶元 如今最新的45納米製造工藝可以在不增加晶元體積的前提下，在相同體積內集成多將近一倍的晶體管，使晶元的功能得到擴展。毫無疑問，信位寬度越小，晶體管的極限工作能力就越大，這也意味著更加出色的性能。對於Core架構的Intel處理器而言，更高的主頻有著很大的意義，而且新的製作工藝令集成更多緩存變得輕而易舉。下表是歷代微處理器與製作工藝發展之間的關系： 微處理器 製作工藝 工作主頻中位數 二級緩存 40486 0.5微米 50MHz 無 Pentium 0.35微米 133MHz 無（主板外置） PentiumII 0.25微米 333MHz 512KB（晶元外置） PentiumIII 0.18微米 750MHz 256KB Pentium4（Northwood） 0.13微米 2.6GHz 512KB Pentium4（Prescott） 90納米 3.0GHz 2MB Core 2 65納米 預測3.0GHz 2～4MB Penryn 45納米 45納米 預測4.0GHz 2～8MB 首次採用0.35微米製作工藝的Pentium讓人記憶猶新 3．第三代單軸應變硅隧道 此次Intel在啟用45納米製作工藝時還引入了極為重要的改進型SOI變形硅技術，也就是第三代單軸應變硅隧道，這對於更好地改善電氣性能有著極大的幫助。CPU所集成的晶體管是一個小開關，決定了電流的通與斷，而在現實世界中，我們無法完全地控制電流，必須藉助一些附加技術。SOI（Silicon-on-insulator，絕緣體矽片）就是為了防止泄漏電流和停止電流活動而設計的，變形硅則剛好相反，是為了驅動電流流動而設計的。事實上，SOI 與變形硅技術總是需要同時使用。 第三代單軸應變硅隧道將待變形矽片放在一種特殊的硅鍺底基上，這種硅鍺底基的原子間距離比待變形矽片原子間距離大，受底基原子作用，矽片中的原子也將向外運動，彼此間拉開距離，從而減少對電流的阻力。SOI變形硅有效地擴展了晶體管通道區域，把硅直接放到底層的頂部，可以預留更多的空間，更好地擴展到底層上，使上面的硅原子直接和低層相匹配，延伸硅元素到合適的通道中。硅原子有更多的空間後，電阻減少了，增加了電流通過的數量。最終結果是使電流流動強度提高了10～15%，或者使當前的電流更加順暢，從而提高了晶體管的運行速度，提高了晶元的工作頻率。 4．45納米工藝的巨大價值 可以很明顯地看出來，每次提高製作工藝都能夠讓主頻大幅度提升，而二級緩存的容量也幾乎是以倍增的方式來回報更先進的製作工藝。提升製作工藝意味著巨額的資金投入，改造一條晶元生產線往往需要花費數十億美金，如果沒有龐大的財力，將無法完成這樣的任務。然而任何產業都是高投入帶來高回報，一旦徹底掌握先進的製作工藝，CPU等產品的製造成本也能下降，反而帶來更大的盈利空間。對於同樣晶體管規模的半導體晶元，新工藝意味著更小的核心面積，而晶元的製造成本與核心面積的平方基本成正比。 幾乎在每次製作工藝的改進過程中，Inte都領先了一步，IBM、摩托羅拉、AMD、TI、富士通、台積電、聯電等半導體企業總是落後半拍。目前Intel已經成功地將45納米應用於現實產品，而AMD和台積電等其它廠商都僅僅停留在「紙上談兵」的層面。對於AMD而言，目前僅僅剛剛過渡到65納米製作工藝，45納米的暫緩使用將會再次使之無法贏得與Intel處理器之間的主頻大戰，從而令性能比拼處於相對被動的局面。然而目前緊盯65納米製作工藝的不僅僅是Intel，包括AMD、VIA、摩托羅拉等CPU製造商也在不斷努力，富士通、台積電、聯電等專業代工廠商更是十分努力。從當前的發展趨勢來看，第一款65納米處理器將很可能出現在2007年年底或者2008年年初，而AMD則需要到2008年第二季度才會跟進。

希望採納

Ⅲ 詳細介紹光伏材料製作與應用專業

專業名稱：光伏材料加工與應用專業代碼：550110一、專業培養目標本專業培養具備太陽能光伏材料、太陽電池所需的材料基礎知識和相關測試技術基礎。掌握光伏材料性能、結構與制備處理技術及運用能力，掌握太陽電池的製造工藝，了解相關半導體器件的設計與製造工藝知識，了解太陽能光伏系統發電應用技術。側重培養在光伏材料、光伏電池行業等相關領域從事生產運行、技術管理、產品檢測與質量控制等方面高級應用型專門人才。二、專業就業方向本專業畢業生可從事太陽能光伏材料、半導體物理器件，硅材料制備與加工，太陽能電池生產和質量檢測，光伏發電系統的設計及相關光伏工程應用等光伏產業方面的工作。三、專業培養要求（一）本專業畢業生應獲得以下幾方面的知識：1、較為系統的掌握光伏材料加工與應用等方面基礎理論和基本知識，主要包括材料科學基礎，半導體物理與器件，太陽能光伏學，電工與電子技術，材料分析測試技術，材料表面科學，硅材料科學與技術，薄膜物理與技術，太陽能電池原理與工藝等基礎知識。2、具有本專業領域內某個專業方向所必要的專業知識，包括光伏材料，太陽能電池，以及光伏發電技術，了解其科學前沿及發展趨勢。（二）本專業畢業生應具有以下幾個方面的能力：1、具有本專業必需的制圖、計算、測試和基本加工工藝操作等基本技能及較強的計算機、外語應用能力；2、具有光伏材料制備工藝、材料產品分析檢測、材料產品質量控制等基本技術；掌握太陽能電池製造的基本工藝，太陽能電池性能的測試，太陽能電池封裝以及光伏系統的發電技術等專業知識和基本技能；3、具有光伏材料及相關領域從事設計、生產、管理的基本能力。了解光伏材料行業發展的現狀、動態和前沿。4、具有較強的自學能力、團隊協作、溝通、籌劃能力。（三）本專業畢業生應具有以下幾個方面的素質：1、合格的思想政治素質。具有良好的思想品德、良好的職業素養、誠實肯干、嚴謹細致；2、較好的科學文化素質。具有嚴謹的作風，良好的修養，科學的思維方式；3、良好的身體心理素質。具有強健的體魄和健康的心理。四、專業主幹課程材料科學基礎、太陽能電池材料、薄膜物理與技術、硅材料科學與技術、材料科學研究方法、材料表面科學、太陽能電池原理與工藝、半導體物理與器件、晶圓製造技術、太陽能光伏發電技術及應用等。五、主要實踐性教學環節入學教育與軍訓、金工實習、機械設計課程設計、光伏材料性能的測試、太陽能電池封裝實習、太陽能光伏系統設計、社會實踐、汽車駕駛實訓、畢業實習、畢業設計（論文）。六、職業資格證計算機等級證、英語等級證、太陽能電池封裝操作證、汽車駕駛證等。七、學制全日制三年。

Ⅳ 首款面向圖論問題求解的光量子晶元誕生，它有何強大之處

我國的研究員在某個雜志上刊發了一篇論文，這篇論文中的研究結果是這個研究員和國內的及所有實力的大學團隊合作研究出來的一款可以用於變成硅基光量子的計算晶元。如果能夠誕生。能夠對資料庫搜索進行快速的量子計算。而且還能夠應用在圖同構等問題上。為了驗證這個晶元的可編程性，該研究員和他的團隊已經做了3萬多次實驗模擬相關的步驟。該研究員研究的可編程硅基光量子晶元，能夠全面協調量子行走的重要參數。

希望我國量子學方面，以後能夠有越來越多的人才加入到我國的相關研究方面，能夠為我國的科學發光發熱。讓我國的相關科學方面變得更加強大。最後為我國乃至世界作出重要的貢獻。

Ⅳ 泛林半導體承認網路本科學歷嗎

承認。
泛林集團成立於1980年，是全球半導體產業創新晶圓製造設備及服務主要供應商，致力於以創新的解決方案，幫助我們的客戶生產體積更小，但性能更快、更強大、更節能的電子器件。在薄膜沉積、等離子刻蝕、光阻去除、晶圓清洗等前道工藝以及後道的封裝應用方面，泛林提供了市場領先的產品和方案組合。
泛林集團是納斯達克上市公司，總部位於美國矽谷，擁有員工約11300名。2019年，泛林集團總營收約為95億美金，中國大陸營收總額約26億美元。
泛林集團長期致力於支持半導體產業的人才培養。在中國，泛林集團與國內半導體領域的數所頂尖大學建立了合作關系，通過設立「泛林集團微電子論文獎」。
資助學生研發項目以及捐贈設備等方法，鼓勵大學生積極投身於微電子和集成電路產業，為產業培養更多優秀人才。

Ⅵ 誰有半導體物理與器件往年的試卷，求分享

專業名稱：光伏材料加工與應用

專業代碼：550110

一、專業培養目標

本專業培養具備太陽能光伏材料、太陽電池所需的材料基礎知識和相關測試技術基礎。掌握光伏材料性能、結構與制備處理技術及運用能力，掌握太陽電池的製造工藝，了解相關半導體器件的設計與製造工藝知識，了解太陽能光伏系統發電應用技術。側重培養在光伏材料、光伏電池行業等相關領域從事生產運行、技術管理、產品檢測與質量控制等方面高級應用型專門人才。

二、專業就業方向

本專業畢業生可從事太陽能光伏材料、半導體物理器件，硅材料制備與加工，太陽能電池生產和質量檢測，光伏發電系統的設計及相關光伏工程應用等光伏產業方面的工作。

三、專業培養要求

（一）本專業畢業生應獲得以下幾方面的知識：

1、較為系統的掌握光伏材料加工與應用等方面基礎理論和基本知識，主要包括材料科學基礎，半導體物理與器件，太陽能光伏學，電工與電子技術，材料分析測試技術，材料表面科學，硅材料科學與技術，薄膜物理與技術，太陽能電池原理與工藝等基礎知識。

2、具有本專業領域內某個專業方向所必要的專業知識，包括光伏材料，太陽能電池，以及光伏發電技術，了解其科學前沿及發展趨勢。

（二）本專業畢業生應具有以下幾個方面的能力：

1、具有本專業必需的制圖、計算、測試和基本加工工藝操作等基本技能及較強的計算機、外語應用能力；

2、具有光伏材料制備工藝、材料產品分析檢測、材料產品質量控制等基本技術；掌握太陽能電池製造的基本工藝，太陽能電池性能的測試，太陽能電池封裝以及光伏系統的發電技術等專業知識和基本技能；

3、具有光伏材料及相關領域從事設計、生產、管理的基本能力。了解光伏材料行業發展的現狀、動態和前沿。

4、具有較強的自學能力、團隊協作、溝通、籌劃能力。

（三）本專業畢業生應具有以下幾個方面的素質：

1、合格的思想政治素質。具有良好的思想品德、良好的職業素養、誠實肯干、嚴謹細致；

2、較好的科學文化素質。具有嚴謹的作風，良好的修養，科學的思維方式；

3、良好的身體心理素質。具有強健的體魄和健康的心理。

四、專業主幹課程

材料科學基礎、太陽能電池材料、薄膜物理與技術、硅材料科學與技術、材料科學研究方法、材料表面科學、太陽能電池原理與工藝、半導體物理與器件、晶圓製造技術、太陽能光伏發電技術及應用等。

五、主要實踐性教學環節

入學教育與軍訓、金工實習、機械設計課程設計、光伏材料性能的測試、太陽能電池封裝實習、太陽能光伏系統設計、社會實踐、汽車駕駛實訓、畢業實習、畢業設計（論文）。

六、職業資格證

計算機等級證、英語等級證、太陽能電池封裝操作證、汽車駕駛證等。

七、學制

全日制三年。