硅晶圆本科毕业论文

Ⅰ 如何理解摩尔定律对电子商务或信息系统投资的影响

摩尔定律--互联网--电子商务发展之依据

摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon
Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻一倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。

尽管这种趋势已经持续了超过半个世纪，摩尔定律仍应该被认为是观测或推测，而不是一个物理或自然法。预计定律将持续到至少2015年或2020年[1] 。然而，2010年国际半导体技术发展路线图的更新增长已经放缓在2013年年底，之后的时间里晶体管数量密度预计只会每三年翻一番。[1]

1摩尔定律概述

1965年4月19日，《电子学》杂志（Electronics
Magazine）第114页发表了摩尔（时任仙童半导体公司工程师）撰写的文章〈让集成电路填满更多的组件〉，文中预言半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍。

1975年，摩尔在IEEE国际电子组件大会上提交了一篇论文，根据当时的实际情况对摩尔定律进行了修正，把“每年增加一倍”改为“每两年增加一倍”，而现在普遍流行的说法是“每18个月增加一倍”。但1997年9月，摩尔在接受一次采访时声明，他从来没有说过“每18个月增加一倍”，而且SEMATECH路线图跟随24个月的周期。

大抵而言，若在相同面积的晶圆下生产同样规格的IC，随着制程技术的进步，每隔一年半，IC产出量就可增加一倍，换算为成本，即每隔一年半成本可降低五成，平均每年成本可降低三成多。就摩尔定律延伸，IC技术每隔一年半推进一个世代。

摩尔定律是简单评估半导体技术进展的经验法则，其重要的意义在于长期而言，IC制程技术是以一直线的方式向前推展，使得IC产品能持续降低成本，提升性能，增加功能。

1998年时，台积电董事长张忠谋曾表示，摩尔定律在过去30年相当有效，未来10到15年应依然适用。

但最新的一项研究发现，“摩尔定律”的时代将会退出，因为研究和实验室的成本需求十分高昂，而有财力投资在创建和维护芯片工厂的企业很少。而且制程也越来越接近半导体的物理极限，将会难以再缩小下去。

由于高纯硅的独特性，集成度越高，晶体管的价格越便宜，这样也就引出了摩尔定律的经济学效益，在20世纪60年代初，一个晶体管要10美元左右，但随着晶体管越来越小，直小到一根头发丝上可以放1000个晶体管时，每个晶体管的价格只有千分之一美分。据有关统计，按运算10万次乘法的价格算，IBM704计算机为85美分，IBM709降到17美分，而60年代中期IBM耗资50亿研制的IBM360系统计算机已变为3.0美分。摩尔定律的定义归纳起来，主要有以下三种版本：

集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一倍。

微处理器的性能每隔18个月提高一倍，或价格下降一半。

用一个美元所能买到的计算机性能，每隔18个月翻两倍。

以上几种说法中，以第一种说法最为普遍，第二、三两种说法涉及到价格因素，其实质是一样的。三种说法虽然各有千秋，但在一点上是共同的，即“翻倍”的周期都是18个月，至于翻倍的是集成电路芯片上所集成的“电路的数目”，是整个“计算机的性能”，还是“一个美元所能买到的性能”就见仁见智了。[2]

2发现背景编辑

早在1959年，美国著名半导体厂商仙童公司首先推出了平面型晶体管，紧接着于1961年又推出了平面型集成电路。这种平面型制造工艺是在研磨得很平的硅片上，采用一种所谓“光刻”技术来形成半导体电路的元器件，如二极管、三极管、电阻和电容等。

要“光刻”的精度不断提高，元器件的密度也会相应提高，从而具有极大的发展潜力。因此平面工艺被认为是“整个半导体的工业键”，也是摩尔定律问世的技术基础。

1965年时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的摩尔应邀为《电子学》杂志35周年专刊写了一篇观察评论报告，题目是：“让集成电路填满更多的元件”。在摩尔开始绘制数据时，发现了一个惊人的趋势：每个新芯片大体上包含其前任两倍的容量，每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的18-24个月内。

如果这个趋势继续的话，计算能力相对于时间周期将呈指数式的上升。摩尔的观察资料，就是后来的摩尔定律，所阐述的趋势一直延续至今，且仍不同寻常地准确。

人们还发现这不光适用于对存储器芯片的描述，也精确地说明了处理机能力和磁盘驱动器存储容量的发展。该定律成为许多工业对于性能预测的基础。在26年的时间里，芯片上的晶体管数量增加了3200多倍，从1971年推出的第一款4004的2300个增加到奔腾II处理器的750万个。

3发现人物编辑

戈登·摩尔（Gordon
Moore,1929-）：英特尔公司（Intel）的创始人之一。

1929年1月3日，戈登·摩尔出生在加州旧金山的佩斯卡迪诺。父亲没有上过多少学，17岁就开始养家，做一个

戈登.摩尔
小官员，母亲只有中学毕业。高中毕业后他进入了著名的加州伯克利分校的化学专业，实现了自己的少年梦想。

1950年，摩尔获得了学士学位，接着他继续深造，于1954年获得物理化学博士学位。

1965年，提出“摩尔定律”。

另一种说法

摩尔定律虽然以戈登·摩尔（Gordon
Moore）的名字命名，但最早提出摩尔定律相关内容的并非摩尔，而是加州理工学院的卡沃·米德（Carver Mead）教授。

米德是最早关注到摩尔定律所提出的晶体管之类的产量增加，就会引起其价格下降现象的。米德指出，如果给定价格的电脑处理能力每两年提高一倍，那么这一价位的电脑处理装置同期就会降价一半。

4定律验证编辑

广义验证

1975年，在一种新出现的电荷前荷器件存储器芯片中，的确含有将近65000个元件，与1965年摩尔的预言一致。另据Intel公司公布的统计结果，单个芯片上的晶体管数目，从1971年4004处理器上的2300个，增长到1997
年PentiumII处理器上的7.5百万个，26年内增加了3200倍。如果按“每两年翻一番”的预测，26年中应包括13个翻番周期，每经过一个周期，芯片上集成的元件数应提高2n倍（0≤n≤12），因此到第13个周期即26年后元件数这与实际的增长倍数3200倍可以算是相当接近了。

要素验证

摩尔定律

也有人从个人计算机（即PC）的三大要素微处理器芯片、半导体存储器和系统软件来考察摩尔定律的正确性。

微处理器方面，从1979年的8086和8088，到1982年的80286，1985年的80386，1989年的80486，1993年的Pentium，1996年的PentiumPro，1997年的PentiumII，功能越来越强，价格越来越低，每一次更新换代都是摩尔定律的直接结果。与此同时PC机的内存储器容量由最早的480k扩大到8M，16M，与摩尔定律更为吻合。

系统软件方面，早期的计算机由于存储容量的限制，系统软件的规模和功能受到很大限制，随着内存容量按照摩尔定律的速度呈指数增长，系统软件不再局限于狭小的空间，其所包含的程序代码的行数也剧增：Basic的源代码在1975年只有4，000行，20年后发展到大约50万行。微软的文字处理软件Word，1982年的第一版含有27，000行代码，20年后增加到大约200万行。有人将其发展速度绘制一条曲线后发现，软件的规模和复杂性的增长速度甚至超过了摩尔定律。系统软件的发展反过来又提高了对处理器和存储芯片的需求，从而刺激了集成电路的更快发展。

摩尔定律并非数学、物理定律，而是对发展趋势的一种分析预测，因此，无论是它的文字表述还是定量计算，都应当容许一定的宽裕度。从这个意义上看，摩尔的预言是准确而难能可贵的，所以才会得到业界人士的公认，并产生巨大的反响。

5修正演化编辑

修正

1975年，摩尔在国际电信联盟IEEE的学术年会上提交了一篇论文，根据当时的实际情况，对“密度每年一番”的增长率进行了重新审定和修正。按照摩尔本人1997年9月接受《科学的美国人》一名编辑采访时的说法，他当年是把“每年翻一番”改为“每两年翻一番”。实际上，后来更准确的时间是两者的平均:18个月。

演化

摩尔第二定律：摩尔定律提出30年来，集成电路芯片的性能的确得到了大幅度的提高；但另一方面，Intel高
层人士开始注意到芯片生产厂的成本也在相应提高。1995年，Intel董事会主席罗伯特·诺伊斯预见到摩尔定律将受到经济因素的制约。同年，摩尔在《经济学家》杂志上撰文写道：“现在令我感到最为担心的是成本的增加，…这是另一条指数曲线”。他的这一说法被人称为摩尔第二定律。

新摩尔定律：中国IT专业媒体上出现了“新摩尔定律”的提法，指的是中国Internet联网主机数和上网用户人数的递增速度，大约每半年就翻一番。而且专家们预言，这一趋势在未来若干年内仍将保持下去。

6意义介绍

“摩尔定律”归纳了信息技术进步的速度。在摩尔定律应用的40多年里，计算机从神秘不可近的庞然大物变成多数人都不可或缺的工具，信息技术由实验室进入无数个普通家庭，因特网将全世界联系起来，多媒体视听设备丰富着每个人的生活。
由于高纯硅的独特性，集成度越高，晶体管的价格越便宜，这样也就引出了摩尔定律的经济学效益。在20世纪60年代初，一个晶体管要10美元左右，但随着晶体管越来越小，直到小到一根头发丝上可以放1000个晶体管时，每个晶体管的价格只有千分之一美分。据有关统计，按运算10万次乘法的价格算，IBM704电脑为1美元，IBM709降到20美分，而60年代中期IBM耗资50亿研制的IBM360系统电脑已变为3.5美分。
“摩尔定律”对整个世界意义深远。在回顾40多年来半导体芯片业的进展并展望其未来时，信息技术专家们认为，在以后“摩尔定律”可能还会适用。但随着晶体管电路逐渐接近性能极限，这一定律终将走到尽头。40多年中，半导体芯片的集成化趋势一如摩尔的预测，推动了整个信息技术产业的发展，进而给千家万户的生活带来变化。

7发展前景

摩尔定律问世已40多年，人们不无惊奇地看到半导体芯片制造工艺水平以一种令人目眩的速度提高。Intel的
微处理器芯片Pentium4的主频已高达2GHz，2011年推出了含有10亿个晶体管、每秒可执行1千亿条指令的芯片。这种发展速度是否会无止境地持续下去是成为人们所思考的问题。

从技术的角度看，随着硅片上线路密度的增加，其复杂性和差错率也将呈指数增长，同时也使全面而彻底的芯片测试几乎成为不可能。一旦芯片上线条的宽度达到纳米（10-9米）数量级时，相当于只有几个分子的大小，这种情况下材料的物理、化学性能将发生质的变化，致使采用现行工艺的半导体器件不能正常工作，摩尔定律也就要走到尽头。

从经济的角度看，正如摩尔第二定律所述，20-30亿美元建一座芯片厂，线条尺寸缩小到0.1微米时将猛增至100亿美元，比一座核电站投资还大。由于花不起这笔钱，越来越多的公司退出了芯片行业。[1]

物理学家加来道雄（Michio
Kaku）是纽约城市大学一名理论物理学教授，2012年接受采访时称摩尔定律在叱咤芯片产业47年风云之久后，正日渐走向崩溃。这将对计算机处理进程产生重大影响。在未来十年左右的时间内，摩尔定律就会崩溃，单靠标准的硅材料技术，计算能力无法维持快速的指数倍增长。
加来道雄表示导致摩尔定律失效的两大主因是高温和漏电。这也正是硅材料寿命终结的原因。加来纪雄表示这与科学家们最初预测摩尔定律没落大相径庭。科学家应该能继续挖掘硅部件的潜力，从而在未来几年时间里维持摩尔定律的生命力；但在3D芯片等技术也都耗尽潜力以后，那么也就将达到极限。
各领域科学家以及产业分析师们都预测到了摩尔定律的失效。然而研究者们同时又提出，不断进步的芯片结构和部件使得摩尔定律在今天依然有效。就连被称作“建立在摩尔定律之上”的Intel公司宣布随着采用纳米导线等技术的新型晶体管逐渐取代传统的半导体晶体管，已经进入“大叔”级别的“摩尔定律”，将不能继续引领电子设备发展的节奏。

8突破研究编辑

2012年10月28日，美国IBM研究所科学家宣称，最新研制的碳纳米管芯片符合了“摩尔定律”周期，依据摩尔定律，计算机芯片每18个月集成度翻番，价格减半。传统的晶体管是由硅制成，然而2011年来硅晶体管已接近了原子等级，达到了物理极限，由于这种物质的自然属性，硅晶体管的运行速度和性能难有突破性发展。

IBM公司的研究人员在一个硅芯片上放置了1万多个碳纳米晶体管，碳纳米晶体管的电子比硅质设备运行得更快。它们也是晶体管最理想的结构形式。这些优异的性能将成为替代硅晶体管的原因，同时结合新芯片设计架构，未来将使微型等级芯片实现计算机创新。

研究人员发现，电子被捕获进一个接口处具有一层氧化物或者金属的半导体后就很容易被抽进空气中，藏匿于该接口处的电子会形成一层电荷，而且该电子层内部的带电粒子之间的库伦排斥力也会使电子很容易从硅中释放出来。他们通过施加很少量的电压，有效地从硅结构中提取出了电子，随后再将电子置于空气中，使它们能在纳米尺度的通道内行进，而不会遇到任何的碰撞或者发生散射。[3]

9生物学应用编辑

2013年，科学家将摩尔定律应用到了地球生命复杂性的研究上，他们的结果显示，有机生命的存在时间远超
过地球本身。研究者将摩尔定律中的晶体管换成了核苷酸——生命遗传物质的基础——将电路换成了遗传物质，进行数学计算。计算结果显示，生命最早出现在100亿年前，比地球45亿年的预测年龄古老得多。研究者称，在太阳系形成的时候，可能已经存在着类似细菌的生物体，或者一些存在于银河系古老区域的简单核苷酸，可能通过彗星、小行星或其他太空碎片来到地球。这一假说被称为有生源说，又称泛种论。有科学家认为，直到现在仍有生命以泛种论的方式进入地球。[

Ⅱ 谁有主流45纳米制造工艺的详细介绍

先声明：在网上找的，供你参考，希望对你有所帮助。 前言： CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。如果想要提高CPU的性能，那么更高的频率、更先进的核心以及更优秀的缓存架构都是不可或缺的，而此时自然也需要以制作工艺作为保障。几乎每一次制作工艺的改进都能为CPU发展带来最强大的源动力，无论是Intel还是AMD，制作工艺都是发展蓝图中的重中之重，如今处理器的制造工艺已经走到了45纳米的新舞台，它将为新一轮CPU高速增长开辟一条康庄大道。 很多用户都对不同的CPU的制作工艺非常熟悉，然而如果问他们什么是制作工艺，65纳米、45纳米代表的是什么，有什么不同，这些问题他们未必能够准确地解答，下面我们就一起来详细了解一下吧。 一、铜导互连的末代疯狂：45纳米制作工艺 几乎每一次制作工艺的改进都会给CPU发展带来巨大的源动力。以如今炙手可热的Pentium4为例，从最初的0.18微米到随后的65纳米，短短四年中我们看到了惊人的巨变。如今，45纳米制作工艺再一次突破了极限，这也被视为是铜导互连技术的最终畅想曲。 1．制作工艺的重要性 早期的微处理器都是使用0.5微米工艺制造出来的，随着CPU频率的增加，原有的工艺已无法满足产品的要求，这样便出现了0.35微米以及0.25微米工艺，不久以后，0.18微米、0.13微米以及90纳米制造的处理器产品也相继面世。另外一方面，早期芯片内部都是使用铝作为导体，但是由于芯片速度的提高，芯片面积的缩小，铝线已经接近其物理性能极限，所以芯片制造厂商必须找出更好的能够代替铝导线的新的技术，这便是我们常说的铜导技术。铜导线与铝导线相比，有很大的优势，具体表现在其导电性要优于铝，而且电阻小，所以发热量也要小于现在所使用的铝，从而可以有效地提高芯片的稳定性。我们今天所要介绍的65纳米技术也是向着这一方向发展。 Intel在IDF 2007上骄傲地展示45nm工艺 光刻蚀是目前CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，其过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜，刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程，设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步。制作工艺对于光刻蚀的影响十分巨大，这也就是CPU制造商疯狂追求制作工艺的最终原因。 2．何谓45纳米制作工艺 我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非是加工生产线，实际上指的是一种工艺尺寸，代表在一块硅晶圆片上集成所数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术述语来说，也就是指芯片上最基本功能单元门电路和门电路间连线的宽度。以90纳米制造工艺为例，此时门电路间的连线宽度为90纳米。我们知道，1微米相当于1/60头发丝大小，经过计算我们可以算出，0.045微米（45纳米）相当于1/1333头发丝大小。可别小看这1/1333头发丝大小，这微小的连线宽度决定了CPU的实际性能，CPU生产厂商为此不遗余力地减小晶体管间的连线宽度，以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。采用45纳米制造工艺之后，与65纳米工艺相比，绝对不是简单地令连线宽度减少了20纳米，而是芯片制造工艺上的一个质的飞跃。 Intel展示45纳米工艺的晶元 如今最新的45纳米制造工艺可以在不增加芯片体积的前提下，在相同体积内集成多将近一倍的晶体管，使芯片的功能得到扩展。毫无疑问，信位宽度越小，晶体管的极限工作能力就越大，这也意味着更加出色的性能。对于Core架构的Intel处理器而言，更高的主频有着很大的意义，而且新的制作工艺令集成更多缓存变得轻而易举。下表是历代微处理器与制作工艺发展之间的关系： 微处理器 制作工艺 工作主频中位数 二级缓存 40486 0.5微米 50MHz 无 Pentium 0.35微米 133MHz 无（主板外置） PentiumII 0.25微米 333MHz 512KB（芯片外置） PentiumIII 0.18微米 750MHz 256KB Pentium4（Northwood） 0.13微米 2.6GHz 512KB Pentium4（Prescott） 90纳米 3.0GHz 2MB Core 2 65纳米 预测3.0GHz 2～4MB Penryn 45纳米 45纳米 预测4.0GHz 2～8MB 首次采用0.35微米制作工艺的Pentium让人记忆犹新 3．第三代单轴应变硅隧道 此次Intel在启用45纳米制作工艺时还引入了极为重要的改进型SOI变形硅技术，也就是第三代单轴应变硅隧道，这对于更好地改善电气性能有着极大的帮助。CPU所集成的晶体管是一个小开关，决定了电流的通与断，而在现实世界中，我们无法完全地控制电流，必须借助一些附加技术。SOI（Silicon-on-insulator，绝缘体硅片）就是为了防止泄漏电流和停止电流活动而设计的，变形硅则刚好相反，是为了驱动电流流动而设计的。事实上，SOI 与变形硅技术总是需要同时使用。 第三代单轴应变硅隧道将待变形硅片放在一种特殊的硅锗底基上，这种硅锗底基的原子间距离比待变形硅片原子间距离大，受底基原子作用，硅片中的原子也将向外运动，彼此间拉开距离，从而减少对电流的阻力。SOI变形硅有效地扩展了晶体管通道区域，把硅直接放到底层的顶部，可以预留更多的空间，更好地扩展到底层上，使上面的硅原子直接和低层相匹配，延伸硅元素到合适的通道中。硅原子有更多的空间后，电阻减少了，增加了电流通过的数量。最终结果是使电流流动强度提高了10～15%，或者使当前的电流更加顺畅，从而提高了晶体管的运行速度，提高了芯片的工作频率。 4．45纳米工艺的巨大价值 可以很明显地看出来，每次提高制作工艺都能够让主频大幅度提升，而二级缓存的容量也几乎是以倍增的方式来回报更先进的制作工艺。提升制作工艺意味着巨额的资金投入，改造一条芯片生产线往往需要花费数十亿美金，如果没有庞大的财力，将无法完成这样的任务。然而任何产业都是高投入带来高回报，一旦彻底掌握先进的制作工艺，CPU等产品的制造成本也能下降，反而带来更大的盈利空间。对于同样晶体管规模的半导体芯片，新工艺意味着更小的核心面积，而芯片的制造成本与核心面积的平方基本成正比。 几乎在每次制作工艺的改进过程中，Inte都领先了一步，IBM、摩托罗拉、AMD、TI、富士通、台积电、联电等半导体企业总是落后半拍。目前Intel已经成功地将45纳米应用于现实产品，而AMD和台积电等其它厂商都仅仅停留在“纸上谈兵”的层面。对于AMD而言，目前仅仅刚刚过渡到65纳米制作工艺，45纳米的暂缓使用将会再次使之无法赢得与Intel处理器之间的主频大战，从而令性能比拼处于相对被动的局面。然而目前紧盯65纳米制作工艺的不仅仅是Intel，包括AMD、VIA、摩托罗拉等CPU制造商也在不断努力，富士通、台积电、联电等专业代工厂商更是十分努力。从当前的发展趋势来看，第一款65纳米处理器将很可能出现在2007年年底或者2008年年初，而AMD则需要到2008年第二季度才会跟进。

希望采纳

Ⅲ 详细介绍光伏材料制作与应用专业

专业名称：光伏材料加工与应用专业代码：550110一、专业培养目标本专业培养具备太阳能光伏材料、太阳电池所需的材料基础知识和相关测试技术基础。掌握光伏材料性能、结构与制备处理技术及运用能力，掌握太阳电池的制造工艺，了解相关半导体器件的设计与制造工艺知识，了解太阳能光伏系统发电应用技术。侧重培养在光伏材料、光伏电池行业等相关领域从事生产运行、技术管理、产品检测与质量控制等方面高级应用型专门人才。二、专业就业方向本专业毕业生可从事太阳能光伏材料、半导体物理器件，硅材料制备与加工，太阳能电池生产和质量检测，光伏发电系统的设计及相关光伏工程应用等光伏产业方面的工作。三、专业培养要求（一）本专业毕业生应获得以下几方面的知识：1、较为系统的掌握光伏材料加工与应用等方面基础理论和基本知识，主要包括材料科学基础，半导体物理与器件，太阳能光伏学，电工与电子技术，材料分析测试技术，材料表面科学，硅材料科学与技术，薄膜物理与技术，太阳能电池原理与工艺等基础知识。2、具有本专业领域内某个专业方向所必要的专业知识，包括光伏材料，太阳能电池，以及光伏发电技术，了解其科学前沿及发展趋势。（二）本专业毕业生应具有以下几个方面的能力：1、具有本专业必需的制图、计算、测试和基本加工工艺操作等基本技能及较强的计算机、外语应用能力；2、具有光伏材料制备工艺、材料产品分析检测、材料产品质量控制等基本技术；掌握太阳能电池制造的基本工艺，太阳能电池性能的测试，太阳能电池封装以及光伏系统的发电技术等专业知识和基本技能；3、具有光伏材料及相关领域从事设计、生产、管理的基本能力。了解光伏材料行业发展的现状、动态和前沿。4、具有较强的自学能力、团队协作、沟通、筹划能力。（三）本专业毕业生应具有以下几个方面的素质：1、合格的思想政治素质。具有良好的思想品德、良好的职业素养、诚实肯干、严谨细致；2、较好的科学文化素质。具有严谨的作风，良好的修养，科学的思维方式；3、良好的身体心理素质。具有强健的体魄和健康的心理。四、专业主干课程材料科学基础、太阳能电池材料、薄膜物理与技术、硅材料科学与技术、材料科学研究方法、材料表面科学、太阳能电池原理与工艺、半导体物理与器件、晶圆制造技术、太阳能光伏发电技术及应用等。五、主要实践性教学环节入学教育与军训、金工实习、机械设计课程设计、光伏材料性能的测试、太阳能电池封装实习、太阳能光伏系统设计、社会实践、汽车驾驶实训、毕业实习、毕业设计（论文）。六、职业资格证计算机等级证、英语等级证、太阳能电池封装操作证、汽车驾驶证等。七、学制全日制三年。

Ⅳ 首款面向图论问题求解的光量子芯片诞生，它有何强大之处

我国的研究员在某个杂志上刊发了一篇论文，这篇论文中的研究结果是这个研究员和国内的及所有实力的大学团队合作研究出来的一款可以用于变成硅基光量子的计算芯片。如果能够诞生。能够对数据库搜索进行快速的量子计算。而且还能够应用在图同构等问题上。为了验证这个芯片的可编程性，该研究员和他的团队已经做了3万多次实验模拟相关的步骤。该研究员研究的可编程硅基光量子芯片，能够全面协调量子行走的重要参数。

希望我国量子学方面，以后能够有越来越多的人才加入到我国的相关研究方面，能够为我国的科学发光发热。让我国的相关科学方面变得更加强大。最后为我国乃至世界作出重要的贡献。

Ⅳ 泛林半导体承认网络本科学历吗

承认。
泛林集团成立于1980年，是全球半导体产业创新晶圆制造设备及服务主要供应商，致力于以创新的解决方案，帮助我们的客户生产体积更小，但性能更快、更强大、更节能的电子器件。在薄膜沉积、等离子刻蚀、光阻去除、晶圆清洗等前道工艺以及后道的封装应用方面，泛林提供了市场领先的产品和方案组合。
泛林集团是纳斯达克上市公司，总部位于美国硅谷，拥有员工约11300名。2019年，泛林集团总营收约为95亿美金，中国大陆营收总额约26亿美元。
泛林集团长期致力于支持半导体产业的人才培养。在中国，泛林集团与国内半导体领域的数所顶尖大学建立了合作关系，通过设立“泛林集团微电子论文奖”。
资助学生研发项目以及捐赠设备等方法，鼓励大学生积极投身于微电子和集成电路产业，为产业培养更多优秀人才。

Ⅵ 谁有半导体物理与器件往年的试卷，求分享

专业名称：光伏材料加工与应用

专业代码：550110

一、专业培养目标

本专业培养具备太阳能光伏材料、太阳电池所需的材料基础知识和相关测试技术基础。掌握光伏材料性能、结构与制备处理技术及运用能力，掌握太阳电池的制造工艺，了解相关半导体器件的设计与制造工艺知识，了解太阳能光伏系统发电应用技术。侧重培养在光伏材料、光伏电池行业等相关领域从事生产运行、技术管理、产品检测与质量控制等方面高级应用型专门人才。

二、专业就业方向

本专业毕业生可从事太阳能光伏材料、半导体物理器件，硅材料制备与加工，太阳能电池生产和质量检测，光伏发电系统的设计及相关光伏工程应用等光伏产业方面的工作。

三、专业培养要求

（一）本专业毕业生应获得以下几方面的知识：

1、较为系统的掌握光伏材料加工与应用等方面基础理论和基本知识，主要包括材料科学基础，半导体物理与器件，太阳能光伏学，电工与电子技术，材料分析测试技术，材料表面科学，硅材料科学与技术，薄膜物理与技术，太阳能电池原理与工艺等基础知识。

2、具有本专业领域内某个专业方向所必要的专业知识，包括光伏材料，太阳能电池，以及光伏发电技术，了解其科学前沿及发展趋势。

（二）本专业毕业生应具有以下几个方面的能力：

1、具有本专业必需的制图、计算、测试和基本加工工艺操作等基本技能及较强的计算机、外语应用能力；

2、具有光伏材料制备工艺、材料产品分析检测、材料产品质量控制等基本技术；掌握太阳能电池制造的基本工艺，太阳能电池性能的测试，太阳能电池封装以及光伏系统的发电技术等专业知识和基本技能；

3、具有光伏材料及相关领域从事设计、生产、管理的基本能力。了解光伏材料行业发展的现状、动态和前沿。

4、具有较强的自学能力、团队协作、沟通、筹划能力。

（三）本专业毕业生应具有以下几个方面的素质：

1、合格的思想政治素质。具有良好的思想品德、良好的职业素养、诚实肯干、严谨细致；

2、较好的科学文化素质。具有严谨的作风，良好的修养，科学的思维方式；

3、良好的身体心理素质。具有强健的体魄和健康的心理。

四、专业主干课程

材料科学基础、太阳能电池材料、薄膜物理与技术、硅材料科学与技术、材料科学研究方法、材料表面科学、太阳能电池原理与工艺、半导体物理与器件、晶圆制造技术、太阳能光伏发电技术及应用等。

五、主要实践性教学环节

入学教育与军训、金工实习、机械设计课程设计、光伏材料性能的测试、太阳能电池封装实习、太阳能光伏系统设计、社会实践、汽车驾驶实训、毕业实习、毕业设计（论文）。

六、职业资格证

计算机等级证、英语等级证、太阳能电池封装操作证、汽车驾驶证等。

七、学制

全日制三年。